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Posted in | Nanoelectronics

SEMATECH 報告在薄酥餅對薄酥餅接合對準線的級數

Published on June 11, 2010 at 1:54 AM

從 SEMATECH 的 3D 互連的研究員編程基於在 Nanoscale 科學學院,并且工程的 (CNSE) 阿爾巴尼 NanoTech 複雜通過一系列的硬化改善的工具和進程報告了在薄酥餅對薄酥餅接合對準線準確性的預付款。

同時, SEMATECH 小組測試唯一 3D 計量學和故障分析技術補充接合工具發展。 這些結果是往縮小大容積製造準備差距一個集成接合工具平臺的和開發將加速 3D 綜合化技術的採用的計量學技術的關鍵步驟。 6月 9日,在星期三 SEMATECH 存在了結果在 2010年 (IITC) IEEE 國際互連技術會議,在 Burlingame, CA。

薄酥餅對薄酥餅 (WtW)對準線和接合是關鍵字啟用 3D 薄酥餅的互聯的處理步驟通過堆積。 半導體 (ITRS) 模式的高密度的,中級水平,在 2012年與 WtW 接合的通過硅vias 國際技術模式通過直徑 0.8 到 1.5ìm 指定和以遠。 過帳政券重疊準確性的 0.5 到 1.0ìm 為這些設備是必要的。

SEMATECH 的 3D 互連研究員展示了銅對銅 (古芝古芝) 熱壓縮債券的亞顯微對準線準確性使用一張集成 300mm WtW 預處理,并且各種各樣的硅對硅和氧化物對氧化物融合結合,无需犧牲接合均一和接合強度,對齊和結合工具。 另外,提高程序控制,在接合界面 defectivity 的相關計量學發展和躺在的計量學報告了。 如 ITRS 所述, SEMATECH 的最新的成績是滿足 WtW 接合模式的可行性的有為的表示。

「通過合作研究,我們的目標是開發,并且分析新的途徑到實施 3D」, Sitaram Arkalgud, SEMATECH 的 3D 互連程序的負責人說。 「這些前進結果,有對加工成本的直接影響,展示鋪平道路低價的 3D 集成電路綜合化的 SEMATECH 的領導和創新技術」。

越來越高的要求為了更小,更加功能和更加低功率的籌碼, 3D 結構湧現作為符合的前進消費者設備要求一個主導的解決方法。 SEMATECH 的 3D 程序被設立在 CNSE 的阿爾巴尼 NanoTech 複雜通過製造提供穩健 300 mm 設備和大容積通過硅的加工技術 (TSV)解決方法。 要加速在發揮 3D's 潛在的進展作為內存的 manufacturable 和價格合理的技術和 CMOS 製造商,程序的工程師世界各地工作與芯片製造商一起、設備和材料供應商和集合和包裝的服務公司在早發展挑戰,包括塑造的費用,縮小技術的選項和技術開發和基準點。

來源: http://www.sematech.org/ 

Last Update: 25. January 2012 22:54

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