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应用材料公司的Endura系统标志着20年成就

Published on July 13, 2010 at 4:13 AM

应用材料公司今天庆祝其应用的Endura ®平台,在半导体产业史上最成功的金属化系统的20年。

的Endura系统革命性的突破性技术,可靠性,可维护性和灵活性,远远超过现有能力水平的半导体金属。在过去20年来取得的微晶片的绝大多数已创建使用超过4500的Endura,运往世界各地的100多位客户的系统之一。

应用材料公司的Endura平台是在半导体产业史上最成功的金属化系统,帮助创建几乎所有的微芯片。

“Endura系统首次发布时,它设置一个新的酒吧在物理气相沉积技术性能和可靠性,在台湾半导体制造有限公司运营部高级副总裁刘马克博士说,”他说:“我们依靠的Endura系统和不断在我们所有的工厂的创新,以执行一个综合PVD和CVD的应用范围广泛。“

康夫Naruke,存储事业部副总裁,东芝半导体公司评论说,“近20年后,我们购买了我们的的第一个Endura系统,该平台将继续为金属,以满足我们的高标准。”

Endura系统继续设置与今天推出两项创新技术,旨在创造了领先的下一代智能设备所需的芯片的的新的行业基准。应用的Endura艾文莉™系统使芯片制造商在其最先进的的高性能逻辑器件,纳入自20世纪70年代最新的金属栅极晶体管技术,晶体管设计的最大变化之一。新应用的Endura ILB™系统的进步最先进的国家在原子层沉积(ALD),使客户能够缩小22纳米及以后的逻辑和记忆芯片速度的关键接触结构。

“今天推出的创新将保持在最前沿的我们的客户,使他们能够推动摩尔定律前进,”Mike Splinter表示,应用材料公司的董事长和首席执行官。 “在经过许多代芯片的半导体制造的最前沿,应用技术的扩展和生产力升级的持续投资,不断在Endura。超过85%的运给客户在过去20年的的Endura系统是在操作仍然今天 - 证明了在应用的工程师创新和奉献精神产生一个这样一个必不可少的一部分,的制度的半导体产业的过去,目前和未来“。

今天和未来的Endura创新

新应用的Endura艾文莉射频PVD1系统顺序存款的多个金属层,形成了一个金属栅极晶体管的心脏。 AVENIR系统使用专有的无线电频率增强PVD技术,可以精确设计的接口存款亚纳米级的电影,以尽量减少漏电流,并最大限度地提高开关速度。除了射频物理气相沉积系统的灵活,高生产率的平台,可配置的PVD,CVD2和ALD技术的广泛,这使得它唯一能够在一个单一的通过编造的所有金属栅薄膜堆叠结构的。在Endura AVENIR系统已经实现工具记录的状态,在领先的逻辑和22nm工艺试生产的代工客户。

最大限度地减小晶体管或存储器单元之间的互连电阻可靠,高速微处理器和内存芯片制造的关键。低于32nm的一个关键的挑战是找到一个符合成本效益的方式存入一个非常薄的阻隔薄膜层,使随后的钨填充。应用的Endura ILB PVD ​​/ ALD的系统满足了这一挑战,使用专有的增强激进的ALD(RE - ALD™)技术,超轻薄,强劲TiN3电影存款显着的均匀性,即使是在20时01分以上的长宽比非常深的壕沟。该系统目前主要逻辑制造商,并正在使用先进的DRAM发展的工具记录。

来源: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 4. October 2011 17:46

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