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應用材料公司的Endura系統標誌著 20年成就

Published on July 13, 2010 at 4:13 AM

應用材料公司今天慶祝其應用的Endura ®平台,在半導體產業史上最成功的金屬化系統的20年。

的Endura系統革命性的突破性技術,可靠性,可維護性和靈活性,遠遠超過現有能力水平的半導體金屬。在過去 20年來取得的微晶片的絕大多數已創建使用超過 4500的Endura,運往世界各地的100多位客戶的系統之一。

應用材料公司的Endura平台是在半導體產業史上最成功的金屬化系統,幫助創建幾乎所有的微芯片。

“Endura系統首次發布時,它設置一個新的酒吧在物理氣相沉積技術性能和可靠性,在台灣半導體製造有限公司運營部高級副總裁劉馬克博士說,”他說:“我們依靠的Endura系統和不斷在我們所有的工廠的創新,以執行一個綜合 PVD和CVD的應用範圍廣泛。“

康夫Naruke,存儲事業部副總裁,東芝半導體公司評論說,“近20年後,我們購買了我們的的第一個 Endura系統,該平台將繼續為金屬,以滿足我們的高標準。”

Endura系統繼續設置與今天推出兩項創新技術,旨在創造的領先優勢的下一代智能設備所需的芯片的新的行業基準。應用的Endura艾文莉™系統使芯片製造商在其最先進的的高性能邏輯器件,納入自20世紀 70年代最新的金屬柵極晶體管技術,晶體管設計的最大變化之一。新應用的Endura ILB™系統的進步最先進的國家在原子層沉積(ALD),使客戶能夠縮小 22納米及以後的邏輯和記憶芯片速度的關鍵接觸結構。

“今天推出的創新將保持在最前沿的我們的客戶,使他們能夠推動摩爾定律前進,”Mike Splinter表示,應用材料公司的董事長和首席執行官。 “在經過許多代芯片的半導體製造的最前沿,應用技術的擴展和生產力升級的​​持續投資,不斷在Endura。超過 85%的運給客戶在過去 20年的的Endura系統是在操作仍然今天 - 證明了在應用的工程師創新和奉獻精神產生一個這樣一個必不可少的一部分,的制度的半導體產業的過去,目前和未來“。

今天和未來的Endura創新

新應用的Endura艾文莉射頻 PVD1系統順序存款的多個金屬層,形成了一個金屬柵極晶體管的心臟。 AVENIR系統使用專有的無線電頻率增強 PVD技術,可以精確設計的接口存款亞納米級的電影,以盡量減少漏電流,並最大限度地提高開關速度。除了射頻物理氣相沉積系統的靈活,高生產率的平台,可配置的PVD,CVD2和ALD技術的廣泛,這使得它唯一能夠在一個單一的通過編造的所有金屬柵薄膜堆疊結構的。在Endura AVENIR系統已經實現工具記錄的狀態,在領先的邏輯和22nm工藝試生產的代工客戶。

最大限度地減小晶體管或存儲器單元之間的互連電阻可靠,高速微處理器和內存芯片製造的關鍵。低於 32nm的一個關鍵的挑戰是找到一個符合成本效益的方式存入一個非常薄的阻隔薄膜層,使隨後的鎢填充。應用的Endura ILB PVD ​​/ ALD的系統滿足了這一挑戰,使用專有的增強激進的ALD(RE - ALD™)技術,超輕薄,強勁 TiN3電影存款顯著的均勻性,即使是在20時 01分以上的長寬比非常深的壕溝。該系統目前主要邏輯製造商,並正在使用先進的DRAM發展的工具記錄。

來源: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 6. October 2011 13:39

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