Eulitha Introducerar Halva-Graden 25nm EUV Fabricerade Gallrar

Published on August 13, 2010 at 2:25 AM

Eulitha fortsätter för att tillfoga högre upplösning strukturerar till dess fodrar av standarda produkter. Det nyaste sådan objektet är ett 50 nm-grad galler som etsas in i silikoner. Dessa gallrar göras med Eulithas unik teknologi för lithography för EUV-störning som hjälpmedlet slätar extremt strukturerar, och inga av sy eller PIXELet släkta imperfectionsna, som finnas in, mönstrar av liknande upplösning producerat använda e-strålar lithography.

Replicationen av dessa kickupplösningsgallrar visades av den Nanoimprint gruppen på det Paul Scherrer Institutet. Gallrar med ett etsadjup av 40nm och en linewidth av 12nm (graden 50nm) imprinted i en ändrad imprint motstår (herr-i 7030R) med inneboende frigörarrekvisita förutsatt att av GmbH microresistteknologi. Brunnen definierade diken avbildades efter den processaa termiska imprinten. Residualen motstår lagrar togs därpå bort, och reproducerad strukturerar etsades in i Si-substraten (avbilda inte visat). De fulla resultaten ska framläggas på NNT-konferensen 20101.

Halva-graden 25nm gallrarna är tillgängliga som en standard produkt eller i beställnings- konfigurationer.

1C. Podiet H.H. Solak, M. Altana, C. Spreu, H. Atasoy, J. Gobrecht, H. Schift, Termisk NOLL av Gallrar för Lithography för Störning för nm EUV för Stort Område 12 in i Motstår med Förbättrad FrigörarRekvisita och Mönstrar Överföringen, Eulitha AG, INKA-Institutet, Paul Scherrer Institut, micro motstår GmbH teknologi.

Last Update: 3. June 2015 12:10

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit