Los Materiales Aplicados Introducen el Sistema de Inspección de la Máscara Aera3

Published on September 14, 2010 at 1:00 AM

Applied Materials, Inc. anunció hoy su Sistema de inspección Aplicado de la Máscara de Aera3™, permitiendo al photomask y a fabricantes de viruta hacer frente a los retos de la detección del defecto más crítico para todos los photomasks en 22nm, usando su tecnología de la imagen antena probada.

El Edificio en el sistema Aplicado puesta de la primera piedra Aera2, el nuevo sistema mejora sensibilidad de la detección por el 50%, activando el examen de características más pequeñas del circuito mientras que refuerza su capacidad única de clasificar defectos de la máscara según su impacto en el fulminante. Esta ventaja dominante hace el sistema Aera3 el más rápido, la mayoría de la solución exacta de la aptitud de la máscara disponible.

Los Materiales Aplicados introdujeron su sistema Aera3 para revisar 22nm avanzado y photomasks de EUV usando la tecnología de la imagen antena probada.

La litografía avanzada De Hoy utiliza las técnicas (DP) de optimización el doble-modelar y (SMO) de la fuente-máscara donde las características en la máscara no soportan casi ninguna semejanza al modelo final en el fulminante impreso. Los sistemas de inspección de alta resolución Convencionales utilizan modelos para simular la imagen proyectada de la máscara en el fulminante y para tener dificultad el determinar de qué defectos son importantes. La tecnología de la imagen antena aumentada del sistema Aera3 emula al sistema óptico del analizador de la litografía, permitiendo que los utilizadores consideren inmediatamente si un defecto causa problemas o puede ser ignorado con seguridad.

El sistema Aera3 introduce las innovaciones múltiples que combinan para mejorar sensibilidad de la detección, incluyendo una fuente de luz más potente, una talla más pequeña del pixel, dar forma sofisticado de la iluminación y una polarización. Además, el Aera3 es el primer sistema capaz de revisar máscaras ultravioletas extremas de la litografía (EUVL) usando dar forma de la iluminación. Esta tecnología de contraste-aumento, acoplada con ultra-pequeña talla del pixel 67nm, permite al módulo opcional de EUVL detectar los defectos tan pequeños como 12nm, haciendo el sistema Aera3 la herramienta ideal para utilizar el revelado pathfinding de los clientes' EUVL.

“Las capacidades de la prueba patrón Del sistema Aera3 son un resultado de nuestra colaboración cercana con los departamentos punta de la máscara en todo el mundo,” dijo a Ronen Benzion, vicepresidente y director general de la división De Proceso Aplicada de los Diagnósticos y de Mando. “El sistema dirige todas las aplicaciones del examen para las máscaras de la generación siguiente, haciéndole una herramienta esencial para calificar rápidamente nuevas máscaras y para seguir su trayectoria calidad de la máscara en un cierto plazo, trayendo avances de la productividad a la célula entera de la litografía.”

Los Materiales Aplicados mostrarán el sistema Aera3 en la conferencia y la exhibición de la Tecnología del Photomask de 2010 SPIE que son celebradas en Monterey, California.

Fuente: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 12. January 2012 03:28

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