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Les Matériaux Appliqués Introduit le Système de Contrôle du Masque Aera3

Published on September 14, 2010 at 1:00 AM

Applied Materials, Inc. a aujourd'hui annoncé son système de Contrôle Appliqué de Masque d'Aera3™, permettant au photomask et aux fabricants de puces de relever les défis de dépistage du défaut le plus critique pour tous les photomasks à 22nm, utilisant sa technologie de l'image aérienne prouvée.

Le Bâtiment sur le système Aera2 Appliqué d'inauguration, le système neuf améliore la sensibilité de dépistage de 50%, activant l'inspection de plus petites caractéristiques techniques de circuit tout en amplifiant sa seule capacité de classifier des défauts de masque selon leur incidence sur le disque. Cet avantage principal effectue au système Aera3 le plus rapide, la plupart de solution précise de qualification de masque disponible.

Les Matériaux Appliqués ont introduit son système Aera3 pour examiner 22nm avancé et photomasks d'EUV utilisant la technologie de l'image aérienne prouvée.

La lithographie avancée D'aujourd'hui utilise des techniques (DP) d'optimisation de double-structuration et (SMO) de Source-masque où les caractéristiques techniques sur le masque ne défrayent presque aucune ressemblance à la configuration finale sur le disque estampé. Les systèmes de contrôle de haute résolution Conventionnels emploient des modèles pour simuler l'image projetée de masque sur le disque et pour avoir la détermination de difficulté quels défauts sont importants. La technologie de l'image aérienne améliorée du système Aera3 émule le système optique du balayeur de lithographie, permettant à des utilisateurs de voir immédiatement si un défaut posera des problèmes ou peut en toute sécurité être ignoré.

Le système Aera3 introduit les innovations multiples qui combinent pour améliorer la sensibilité de dépistage, y compris une source lumineuse plus puissante, une plus petite taille de pixel, une formation sophistiquée d'illumination et une polarisation. De plus, l'Aera3 est le premier système capable d'examiner les masques ultra-violets extrêmes de la lithographie (EUVL) utilisant la formation d'illumination. Cette technologie contraste-augmentante, ajoutée à la taille de pixel du l'ultra-petit 67nm, permet au module optionnel d'EUVL de trouver des défauts aussi petits que 12nm, effectuant au système Aera3 l'outil idéal pour supporter le développement novateur des abonnées' EUVL.

« Les capacités du benchmark du système Aera3 sont un résultat de notre étroite collaboration avec le masque tranchant compare les prix le monde, » a dit Ronen Benzion, vice président et directeur général de la division De Processus Appliquée de Diagnostics et de Contrôle. « Le système adresse toutes les demandes d'inspection de masques de prochain rétablissement, lui effectuant un outil indispensable pour qualifier rapidement les masques neufs et pour cheminer la qualité de masque au fil du temps, portant des gains de productivité à la cellule entière de lithographie. »

Les Matériaux Appliqués présenteront le système Aera3 à la conférence et à l'exposition de Technologie de Photomask de 2010 SPIE étant retenues dans Monterey, la Californie.

Source : http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 12. January 2012 03:07

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