AIXTRON Empfängt Neue Ordnung für Silikon-Karbid-Chemische Bedampfen-Anlage

Published on January 20, 2011 at 6:42 AM

AIXTRON SE kündigte heute eine neue Ordnung für eine chemische Bedampfenanlage des Silikonkarbids (Sic (CVD)) von einer bedeutenden Unternehmensforschung u. von einem Entwicklungszentrum an, die im Nordosten der USA gelegen sind.

Die Ordnung enthält eine Waferkonfiguration Heiß-Wand Reaktoranlage VP508GFR 1x4-inch mit zusätzlichen Merkmalen einschließlich einen DoppelGefäß Heiß-Wand Reaktor mit der AIXTRON patentierten Gas-Folien-Rotation für einzelne Wafereinheitlichkeits- und -Temperaturfähigkeit.

Die Firma vergab den Auftrag während des dritten Trimesters von 2010. Nach Lieferung im Zweiten Quartal von 2011, führt das lokale AIXTRON-Support - Team den Einbau und die Beauftragung durch.

Dr. Frank Wischmeyer, Vizepräsident und Direktor AIXTRON AB, Kommentare, „Gegen den Hintergrund des Nobelpreises für Physik sprachen Andre Geim zu und Konstantin Novoselov für Graphene, dieses ist gutes Timing für unsere bevorstehende Lieferung. Graphene ist ein aufregendes Material, das die hohe Elektronenbeweglichkeit besitzt und macht es einen möglichen Kandidaten als das Kanalmaterial in den zukünftigen Hochfrequenzeinheiten und in den integrierten Schaltungen.“

Die Anlage AIXTRON VP508GFR, die in den ähnlichen Forschungsprojekten nachgewiesen wird, wird verwendet, um Epitaxial- Sic zu wachsen und das gewachsene Sic Material in monomolekulare Schichten von Graphene zu konvertieren.

Für Produktion R&D und des mittleren Mittel sondern VP508GFR-Heiß-Wand Gefäß-Reaktorangebote AIXTRONS Wafer 4 Inch und eine wahlweise 6-Inch-Kapazität in einer Doppelkammerkonfiguration für erhöhte Produktivität aus.

AIXTRON bietet auch Produktion basierte MOCVD-Plattformen unter Verwendung seines planetarischen Baumusters MOCVD-Reaktoren mit Fähigkeit der hohen Temperatur für Epitaxial- Sic Wachstum für 4 - und eine 6-Inch-Fähigkeit an.

Quelle: http://www.aixtron.com/

Last Update: 11. January 2012 12:14

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