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FEI Para Proporcionar a Tecnología de TEM al CEA-Leti Para Caracterizar los Materiales del Semiconductor 22nm

Published on February 22, 2011 at 7:31 PM

El CEA-Leti anunció hoy que las compañías han firmado un acuerdo de tres años de caracterizar los materiales avanzados del semiconductor para el nodo de la tecnología 22nm y más allá. El CEA-Leti Con Base En Europa, con sus dos socios en la Plataforma de NanoCharacterization del Campus de MINATEC, el CEA-Liten (nuevos materiales para las nuevas energías) y CEA-INAC (Instituto de Nanoscience), aplicará su experiencia en la difracción de la olografía y del nanobeam.

FEI proveerá de tecnología avanzada de la difracción del nanobeam su microscopio electrónico de la transmisión de la exploración del Titán (S/TEM), el mundo más potente, microscopio disponible en el comercio. Las compañías medirán cambios de la deformación en estructuras del semiconductor.

El FEI Titam TEM

“La investigación se centrará en dos partes importantes: uso de la olografía con la fuente única del electrón del XFEG del Titán de mejorar la sensibilidad del dopante que perfila, y el uso de las técnicas de la difracción del nanobeam de medir cambios en la deformación y otros parámetros cristalográficos,” dijo a George Scholes, vicepresidente y director general para la línea de productos del S/TEM de FEI. “Con el Titán, FEI está un arranque de cinta en estas áreas y observamos hacia adelante a partnering con el CEA-Leti en su plataforma única para la caracterización y nanoscale en continuar avance la tecnología.”

“Debemos mejorar la sensibilidad, la exactitud y la producción del dopante perfilando para continuar el utilizar de dimensiones que encoge del dispositivo. Y una mejor comprensión de los efectos de la deformación es crítica en el revelado de los dispositivos de IC de un rendimiento más alto a medida que continuamos activar la tecnología al nodo de la tecnología 22nm y más allá,” Rudy declarado Kellner, vicepresidente y director general de la División de la Electrónica de FEI.

Según Laurent Malier, CEO del CEA-Leti, “Elegimos trabajar con FEI en este proyecto de investigación de tres años, no sólo debido a su microscopio potente, disponible en el comercio, pero también debido a su experiencia especial en aplicaciones de la difracción del nanobeam. Junto, preveemos dirigir varias barricadas técnicas críticas que hacen frente a la industria del semiconductor a medida que continúa activar la talla del dispositivo y el envolvente y también los retos del funcionamiento en la caracterización de los materiales usados en nanoelectronics y más generalmente para los nanosciences.”

Last Update: 12. January 2012 18:24

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