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FEI Pour Fournir la Technologie de TEM au CEA-Leti Pour Caractériser des Matériaux du Semi-conducteur 22nm

Published on February 22, 2011 at 7:31 PM

Le CEA-Leti a aujourd'hui annoncé que les compagnies ont conclu une convention de trois ans de caractériser les matériaux avancés de semi-conducteur pour le noeud de la technologie 22nm et au-delà. Le CEA-Leti Basé En Europe, avec ses deux associés sur la Plate-forme de NanoCharacterization du Campus de MINATEC, le CEA-Liten (matériaux neufs pour des énergies neuves) et CEA-INAC (Institut de Nanoscience), appliquera leurs compétences dans la diffraction d'olographie et de nanobeam.

FEI fournira à la technologie avancée de diffraction de nanobeam son microscope électronique de boîte de vitesses de lecture de Titan (S/TEM), le monde le plus puissant, microscope disponible dans le commerce. Les compagnies mesureront des changements de tension des structures de semi-conducteur.

Le FEI Titam TEM

« La recherche se concentrera sur deux domaines importants : utilisation de l'olographie avec la seule source d'électron du XFEG du Titan d'améliorer la sensibilité du dopant profilant, et l'utilisation des techniques de diffraction de nanobeam de mesurer des changements de tension et d'autres paramètres cristallographiques, » a dit George Scholes, vice président et directeur général pour la ligne de produits du S/TEM de FEI. « Avec le Titan, FEI est une amorce dans ces zones et nous attendons avec intérêt de partnering avec le CEA-Leti sur leur seule plate-forme pour la caractérisation et nanoscale en continuant à avancer la technologie. »

« Nous devons améliorer la sensibilité, l'exactitude et le débit du dopant profilant afin de continuer de supporter des cotes craintives de dispositif. Et une meilleure compréhension des effets de la tension est critique dans le développement des dispositifs d'IC de plus haute performance car nous continuons à pousser la technologie au noeud de la technologie 22nm et au-delà, » Rudy Kellner, vice président et directeur général indiqué de la Division de l'Électronique de FEI.

Selon Laurent Malier, PRÉSIDENT du CEA-Leti, « Nous avons choisi de travailler avec FEI sur ce projet de recherche de trois ans, non seulement à cause de leur microscope puissant et disponible dans le commerce, mais également à cause de leurs compétences spéciales dans des applications de diffraction de nanobeam. Ensemble, nous comptons adresser plusieurs barrages de route techniques critiques faisant face à l'entreprise de semiconducteurs pendant qu'elle continue à pousser la taille de dispositif et l'enveloppe et également les défis de performance dans la caractérisation des matières employées dans le nanoelectronics et plus généralement pour des nanosciences. »

Last Update: 12. January 2012 18:45

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