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Posted in | Nanoelectronics

SEMATECH, 비휘발성 기억 장치 기술의 발달에 공저할 것이다 4DS

Published on April 18, 2011 at 8:10 AM

Cameron 차이의

4DS 의 RRAM 기술을 개발하는 실리콘 밸리 회사는 SEMATECH의 프런트 엔드 프로세스에서 비휘발성 기억 장치 (FEP) 기술 개발에 있는 계획사업에 공저하기 위하여, 등록했습니다.

회사는 SEMATECH의 기억 장치 프로그램에서 엔지니어와 그것의 사내 물자 프로세스 및 장치 디자인에 근거를 둔 힘 능률적인 RRAM 장치의 작동 견본을 만들기 위하여 트랜지스터 기억 장치를 개발하기 위하여 바싹 일할 것입니다.

RRAM는 글로벌 산업과 학문적인 계획사업을 위해 적당한 비휘발성 기억 장치입니다. 그것은 플래시 메모리 대신에 사용될 수 있고 그것의 속도, 낮은 전력 소비 및 스케일링 때문에 비휘발성 기억 장치 응용을 강화할 수 있었습니다.

플래트홈은 저온에 작동하고 CMOS 의 단계를 복면하는 몇몇을 필요로 하는 (BEOL) 단순한 구조물을 특색짓는 뒤 라인 끝 프로세스와 호환이 됩니다. 능률 힘이고 단단 씁니다. 연구단은, 장비 가공하고는과 기억 장치 설계 재료 과학에 있는 실리콘 밸리 전문가를 포함했습니다.

4DS에, 주요한 과학자는 nanoscale 양 물리학자 및 이전 하버드 Rowland 학회 동료인 Dongmin 첸 의, 공동체정신 회사의 나노 과학 포트홀리로를 유효하게 하는 것을 도울 것입니다.

근원: http://www.4-d-s.com

Last Update: 11. January 2012 07:48

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