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Posted in | Nanoelectronics

Sul Semiconduttore, il imec Collabora Per Sviluppare le Unità di Potenza di GaN-su-Si

Published on October 6, 2012 at 2:45 AM

Sul Semiconduttore, un fornitore globale primo delle soluzioni del silicio di rendimento elevato per elettronica di ottimo rendimento, ha unito il multi-partner, programma industriale di ricerca e sviluppo a imec, un centro di ricerca principale di nanoelectronics, per collaborare sullo sviluppo del Nitruro di Gallio di prossima generazione (GaN) sulle unità (Si) di potenza del Silicio.

GaN è caratterizzato da mobilità di elettrone superiore, da più alta tensione di ripartizione e dai buoni beni della conducibilità termica, rendendogli l'ideale per le unità di radiofrequenza e (RF) di potenza che hanno bisogno dei risparmi di temi di alto-commutazione. Oggi, ad unità di potenza basate GaN sono troppo costose per grande fabbricazione del volume, poichè da costruzione sui wafer di diametro basso facendo uso dei processi di produzione non standard.

Il programma di ricerca del vasto-disgaggio di Imec è messo a fuoco sulla tecnologia di sviluppo di GaN-su-Si sui wafer da 200 millimetri come pure diminuendo il costo e migliorando la prestazione delle unità di GaN. Riunendo i produttori integrati di piombo dell'unità (IDMs), le fonderie, le società a semiconduttore composto, i fornitori della strumentazione ed i fornitori del substrato, imec è riuscita nel raggiungimento degli avanzamenti tecnici significativi.

l'anno scorso, il programma di ricerca dei imec ha prodotto con successo i wafer di GaN-su-Si di 200 millimetri, portanti a trattamento all'interno dell'estensione per alto-produttività standard i fabs da 200 millimetri. Inoltre, il imec ha sviluppato un trattamento di montaggio compatibile con i trattamenti standard di CMOS e gli strumenti, il secondo presupposto per trattamento redditizio.

“Come fornitore globale a semiconduttore 20 principali con un portafoglio messo a fuoco sulle unità di ottimo rendimento, Sul Semiconduttore sta ricercando le tecnologie del silicio di GaN per parecchi anni ed attualmente sta sviluppando una linea di trasformazione di GaN nella sua funzione di Oudenaarde nel Belgio,„ ha detto la Cicogna di Hans, vice presidente senior e l'ufficiale della tecnologia del capo (CTO) Sul Semiconduttore. “Partnering con il imec contribuirà a rinforzare la nostra attuale posizione del mercato e potenzialmente a assisterci nell'aggiunta della tecnologia avanzata non Xerox alle nostre offerti del cliente. Aspettiamo con impazienza di collaborare con un vasto consorzio delle società simili sulla ricerca lungimirante in materia.„

Secondo Rudi Cartuyvels, vice presidente dei sistemi e della tecnologia energetica astuti a imec: “Gli sviluppi Straordinari continuano ad emergere dal nostro Programma di Affiliazione di GaN-su-Si, creante ulteriori elevato potere d'acquisto per guidare giù i costi di produzione. La più nuova aggiunta, Sul Semiconduttore come partner strategico di programma, avanza gli avanzamenti la nostra competenza collettiva. Fare Leva gli sforzi comuni ci aiuterà a sormontare la transenna seguente verso fabbricazione economica del volume, infine portante le unità di potenza di GaN al servizio.„

Sorgente: http://www.onsemi.com/

Last Update: 6. October 2012 08:38

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