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Posted in | Nanoelectronics

半導体で GaN Si 力装置を発達させるために、 imec は協力します

Published on October 6, 2012 at 2:45 AM

半導体で、エネルギー効率が良い電子工学のための高性能のケイ素の解決の首位の全体的な製造者はケイ素力装置の次世代ガリウム窒化物 (GaN) の開発で協力するために、複数のパートナー、 imec、一流の nanoelectronics の研究所の産業研究開発プログラムを、 (Si)結合しました。

GaN は優秀な電子移動度、より高い絶縁破壊電圧およびよい熱伝導度の特性によって特徴付けられ、それに高切換えの効率を必要とする力および (RF)無線周波装置のための理想をします。 現在、 GaN ベースの力装置は標準外生産プロセスを使用して小さい直径のウエファーで製造されるので、大きいボリューム製造業にとって余りに高いです。

Imec の広スケールの研究計画は 200 の mm のウエファーの GaN Si 技術を開発し、またコストを削減し、そして GaN 装置のパフォーマンスを改善することに焦点を合わせます。 一流の統合された装置製造業者を、鋳物場 (IDMs)ひとつにまとめることによって、化合物半導体の会社、装置の製造者および基板の製造者、 imec はずっと重要な技術的な進歩の達成で正常です。

去年、 imec の研究計画は正常に持って来る 200 の mm GaN Si のウエファーを作り出しま 200 の mm の fabs を標準高生産性のための範囲の内で処理します。 さらに、 imec は標準 CMOS プロセスおよびツールの費用有効処理のための第 2 前提条件と互換性がある製造プロセスを開発しました。

「エネルギー効率が良い装置に焦点を合わせるポートフォリオを持つ最初の 20 全体的な半導体の製造者として半導体で数年のための GaN のケイ素の技術を研究して、ベルギーの Oudenaarde 機能で現在 GaN の加工ラインを構築しています」、半導体のでハンズのこうのとり、上席副社長および責任者の (CTO)技術の将校を言いました。 「imec と組むことは私達の顧客の供物へ競争の先端の技術を追加することの私達の現在の市場の位置を増強し、可能性としては私達を助けるのを助けます。 私達はこのフィールドの前向きな研究の同じ考えの会社の広い借款団との協力を楽しみにしています」。

ルーディ Cartuyvels に従って、 imec のスマートなシステムそしてエネルギー技術の副大統領: 「異常な開発は生産費の下で運転するためにそれ以上の侵害を作成する私達の GaN Si 加入プログラムから現れ続けます。 戦略的なプログラムパートナーとして半導体のの最も新しい付加は、前進を私達の集合的な専門知識促進します。 てこ入れの相互協力は最終的に市場に GaN 力装置を持って来る経済的なボリューム製造業の方に次のハードルを、克服するのを助けます私達が」。

ソース: http://www.onsemi.com/

Last Update: 6. October 2012 08:39

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