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Sistemas Propietarios para Producir Nanowires Semiconductor Disponible a partir de Primera Nano

Published on July 17, 2007 at 12:26 AM

Primer Nano, una división de CVD Equipment Corporation ha anunciado que hoy el desbloquear de él es los sistemas sólidos de la deposición de la fuente de ET2000-SS y de ET3000-SS diseñados específicamente para producir Nanowires Semiconductor.

Los nanowires Monocristalinos hechos de los materiales tales como Óxido de Cinc (Zno) y Nitruro del Galio (GaN) han sido el enfoque de investigadores durante muchos años debido a sus propiedades notables como materiales electrónicos y optoelectrónicos.

GaN es un material semiconductor usado para los diodos Electroluminosos Azules, Verdes y ULTRAVIOLETA (LED) y los Laseres. Los LED Azules también se tratan con los fósforos para crear la luz blanca LED que se utilizan actualmente en linternas, señalización y otras aplicaciones del alumbrado.

ZnO es un material semiconductor usado para Azul-LED y los Laseres, y es probablemente una opción menos costosa a GaN. ZnO es también bien sabido para la radiación ULTRAVIOLETA absorbente que le hace un ingrediente importante en productos personales tales como cosméticos y sol que ciegan lociones.

Los Investigadores han podido demostrar que usando fuentes sólidas tales como polvos del Galio y del Cinc sea una opción menos costosa y más segura a usar las Fuentes Orgánicas del Metal convencional usadas por el método actual de la Deposición de Vapor de Substancia Química de la Deposición de Vapor Orgánico (MOCVD) del Metal para fabricar el LED.

Hasta la fecha, el nanowire LED de GaN y de ZnO y los laseres han sido posibles solamente en una escala de la investigación. Uno de los temas importantes para producir muestras más grandes ha sido controlar la temperatura de la fuente sólida (Zn o GA) y de la uniformidad de la temperatura de la muestra.

El proceso típico para depositar estos materiales se llama el “Vapor-Sólido” (COMPARADO CON)” o el método “Vapor-Líquido-Sólido” (VLS) de CVD. En el caso de ZnO, la fuente se calienta a ~900o Celsius para vaporizar los polvos de la fuente y la muestra se coloca en el compartimiento adonde la temperatura cae a ~800o Celsius. En la mayoría de los sistemas esto deja un área no uniforme para el substrato, por lo tanto un área de procesos muy estrecha para que la muestra sea colocada.

Nuestros sistemas sólidos de la deposición de la fuente se han diseñado específicamente para acomodar el “Vapor-Sólido” (COMPARADO CON)” y el método “Vapor-Líquido-Sólido” (VLS) de deposición del nanowire. Este nuevo diseño proporciona a un mejor control de la temperatura de la uniformidad de la temperatura del material de origen y del substrato proporcionando a zonas de temperatura distintas y separa sistemas del control de la temperatura del bucle cerrado. El control de la temperatura mejorado junto con la capacidad creciente de los sistemas de ET2000-SS y de ET3000-SS es el primer paso de progresión en traer estos materiales notables a los niveles completos de la producción.

Last Update: 17. January 2012 10:27

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