los Fulminantes 3D-TSV Explican Más el De 6% de Industria Total del Semiconductor en 2015

Published on July 30, 2008 at 10:57 AM

La Investigación y los Mercados ha anunciado que la adición “TSV tridimensional Interconecta - del parte del Parte del Equipo + de los Materiales 2008” a su ofrecimiento.

La Revolución Siguiente para las Industrias del Empaquetado del Semiconductor y de la Asamblea del Circuito

La industria fabril del Semiconductor está haciendo frente hoy más que nunca al reto para explorar la supuesta ruta tridimensional de la integración de “Más-que-Moore” para perseguir la graduación a escala agresiva continuada de la Ley del Moore histórico. Se está refiriendo la cadena de suministro entera de la industria del Semiconductor: de IDMs a las fundiciones Fabless y del CMOS, de OSATs a los jugadores de la Asamblea del Substrato y del Circuito también. Creemos que la integración 3D con TSVs podría acelerar la consolidación aún más actual suceso en fabs del fulminante del CMOS y la rotación hacia un modelo fabless de la fundición. Mientras Que se está refiriendo la cadena de suministro entera de la industria, todos los jugadores en el momento están colocando en la tecnología y están evaluando sobre qué plataformas tridimensionales de la tecnología necesitan ser invertidas y ser desarrolladas para su propio asunto.

Los Tiempos son brillantes para los embaladores de todos a través del mundo. Una nueva infraestructura entera necesita ser desarrollada en el “Mediados de-Fin” de la cadena de suministro de la industria del semiconductor. Las Nuevas Tecnologías, los Equipos y los Materiales Avanzados viniendo ambos de los mundos Frontales y Finales se están desarrollando y darán lugar a un nuevo renacimiento de las industrias del empaquetado del semiconductor y del ensamblaje del circuito. Nuestros últimos pronósticos del tiempo de mercado muestran que los fulminantes 3D-TSV serán expididos en millones y tener el potencial de afectar tanto como el 25% del asunto de la memoria en 2015. Si excluimos memorias, nuestra demostración del análisis que los fulminantes 3D-TSV podrían explicar más el de 6% de la industria total del semiconductor en 2015.

Este nuevo estudio tiene como objetivo el dar de una mejor comprensión sobre la cronología correcta para la adopción acertada del Silicio Directo Vía tecnología (de la interconexión tridimensional de TSV) a través de la amplia gama de sus fin-aplicaciones que impulsan. Los dos partes más futuros cuantifican el impacto potencial de tecnologías tridimensionales en el mercado de la fabricación del semiconductor (en el Dispositivo/el Equipo/los niveles Materiales) y evalúan cómo la cadena de suministro de la industria es probable desarrollarse en los 2009-2015 marcos de tiempo.

Los Ejemplos de encontrar importante de este estudio de estudio de nuevos mercados son:

- Los Estímulos para ir a tridimensional están bastante sin obstrucción y no han cambiado mucho puesto que la tecnología se ha introducido con éxito en la producción para los sensores de la imagen de MEMS y del CMOS ya: está todo sobre lograr un factor de forma más pequeño con densidades crecientes del conjunto, para resolver la anchura de banda, RF, mejorías del funcionamiento del consumo de energía y para guardar con la reducción de costes adicional. El Costo se fija definitivo para ser el estímulo más fuerte para desarrollar las tecnologías 3D a largo plazo. Además, vemos a varios jugadores que son impulsados por estímulos de la confiabilidad: los sistemas de una confiabilidad más alta pueden ser manufacturados con la integración vertical de varias capas usando TSVs tridimensional en vez de cable-bonos o la Tirón-Viruta interconecta, usando la óptica empilada 3D del nivel del fulminante en vez de los módulos moldeados inyección plástica del lente. De muchos la punta de opiniónes, tridimensional aparece ser un programa piloto de activação fuerte para la introducción acertada de aún más nuevos sistemas integrados en duro y espacia ambientes de aplicación de la restricción por ejemplo en el Automotor, Bio, Telecomunicaciones y Mercados de consumidores entre otros.

- Mapa Itinerario por la aplicación: Los sensores de la imagen de WL-CSP CMOS están en la punta para dejar su borde tradicional interconectan la configuración para las configuraciones “reales” que van 3D-TSV tan pronto como este año. Vias será llenado parcialmente o totalmente, dependiendo vía de la aproximación que llena que es convertida (Cobre para la carga química, la Polisilicona o el Tungsteno parcial para los vias totalmente llenados). Además, vemos sin obstrucción que el número de I/Os que se despliega a varios centenares de interconecta por viruta con una tendencia de empilar las virutas bajo la viruta del sensor de la imagen sí mismo de DSP. MEMS también tomará la ventaja de tridimensional para combinar el MEMS con su ASIC mientras que los Sorbos Inalámbricos combinarán las capas heterogéneas todas juntas (empleado diversos nodos de la litografía, diversos substratos materiales tales como Si, GaAs, SiGe…). El mercado para las memorias empiladas tridimensionales es inminente: es impulsado sobre todo por Memoria Flash de las memorias basadas del RAM primero mientras tanto se fija cada vez más para ser combinado en el futuro dentro del MCP, del Estallido/del Sorbo de los conjuntos, de ranuras para tarjeta del teléfono celular y de SSDs. La pregunta ahora es más sobre quién tendrá éxito para desarrollar primero el proceso más barato y tomará el riesgo de la inversión inicial enorme de la infraestructura requerida. Yendo más lejos, 3D-SOCs basados Lógica son fijar al despegue en los 2-3 años de bastidor para diversas aplicaciones. De Hecho, este tipo “verdadero” de la integración 3D-IC será logrado con la segregación progresiva de varias capas: la División 3D de memorias embutidas, de capas del RF, del Análogo y de I/Os de la viruta de la base de la lógica será lograda de la manera más de poco costo reduciendo áreas totales de la talla de la viruta. Nos sentimos hoy confiados que 3D-ICs pronto mostrará a más de poco costo comparada a las aproximaciones tradicionales del SOC pues activará dividir de una manera de poco costo las diversas funciones hoy todo integradas en dados del SOC de la área extensa. Más Allá de costo, estas virutas tridimensionales quieren además ventajas de mejorías del funcionamiento pues la longitud de la interconexión será acortada y los repetidores serán quitados. Esto permitirá la industria del CMOS va “virtualmente” más allá al nodo 32nm en términos de talla, costo y funcionamiento de la viruta.

- Creemos que diversas plataformas tridimensionales de la tecnología necesitan ser desarrolladas pues responderán a diversas necesidades de la aplicación y corresponderán a diversos jugadores en la cadena de suministro:

- - la plataforma tridimensional de la Encapsulación de WLP está hoy ya en la producción en sensores de la imagen del CMOS con vía a través de la parte trasera del fulminante. Se desplegará a los módulos del Amplificador de potencia también. El conjunto de MEMS es más complejo pues la mayor parte de estas aplicaciones necesitarán una cavidad completo-hermética con el uso de absorbedores o colector y de tecnologías que pegan especializadas.

- - la plataforma tridimensional de la Pila de TSV se está desarrollando sobre todo para las memorias empiladas y la lógica 3D-SOCs después. Si es vía-pasado explicará una porción grande del mercado, vemos que una tendencia sin obstrucción hacia las vía-primeras configuraciones y una talla más pequeña de los vias que se acercan a los diámetros 1-5um con 500-2000 interconecta por viruta típicamente.

- - la plataforma tridimensional del Módulo de la interposición es ya en la producción muy pequeña para varias aplicaciones de MEMS para combinar ASIC y MEMS saltara junto en una aproximación verdadera de WLP (La interposición del silicio actúa aquí en el repuesto directo del substrato orgánico). Esta plataforma de la tecnología es probable desplegarse rápidamente en muchos espacios de la aplicación del Sorbo. En la mayoría de los casos, la interposición del silicio 3D se utiliza como “módulo de la viruta del compañero” para el sistema integrado 3D. Las Ventajas de tales interposiciones tridimensionales del silicio incluyen las propiedades térmicas intrínsecas excepcionales (CTE) del conjunto/del substrato/de la tarjeta del silicio y el potencial de escalar a la interconexión ilimitada echa. Además, leverage la posibilidad “que se dirigirá cada vez más” entre hora con la capacidad de integrar los dispositivos pasivos, de formar las cavidades o aún de construir los canales microrefrigerantes para los módulos térmicos eficientes de la administración del costo. Más generalmente, las interposiciones tridimensionales del silicio deben ser bajo costo y se pueden manipular o fabricar por los subcontratistas de IDM si la cadena de valores de la confidencialidad puede ser asegurada. Vemos al bebé

Last Update: 17. January 2012 08:03

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