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CEA / Leti和EV集團加快採用 TSV和3D集成技術

Published on April 1, 2009 at 9:52 AM

EV集團(EVG) ,晶圓鍵合和光刻設備的微機電系統,納米技術和半導體市場的領先供應商,今天宣布與CEA / Leti的,它已進入一個聯合開發計劃(JDP) -歐洲著名的研究實驗室之一,專注於微電子和納米技術。 EVG,穿透矽通孔(TSV)和三維集成技術的早期領導人,將提供世界一流的,300毫米的臨時粘接和剝離技術 CEA / Leti的。第一個系統將在5月運。聯合開發的工作重點將放在進一步開發這些技術和工藝,加快繼續採用 TSV技術 - 鑑於其表現出的優勢,包括更高的性能,增加功能,更小的體積和更低的功耗。

更多的功能,低功耗

閃存和圖像傳感器繼續打頭陣,實現 3D IC / TSV技術由於設備結構的複雜性和更多的功能與更低的功耗需求。在證明具有成本效益,可製造的可堆疊互連技術,專家項目 TSV技術的採用增長集中在未來幾年擴大到其他各種先進的IC應用。這一聯合開發計劃矛頭另一個關鍵的一步,以準備推出集成器件製造商和代工廠,以全面貫徹落實到他們的生產線,三維集成技術和工藝,並把這項技術的優勢,以一個全球性的商業規模。

“我們非常高興能與 EVG - 不僅為他們證明粘合/剝離和薄晶圓處理技術系統,同時也為巨大的基礎工作和對 TSV技術和三維集成的工具,他們帶來的表專業知識,補充我們自己在這一領域的技術訣竅,說:“尼古拉Sillon,先進的封裝和3D集成在Leti的實驗室負責人。 “TSV和3D集成被證明是一種可行的解決方案,在先進的設備性能的關鍵障礙。齊心協力,我們就能繼續解開這項技術的全部潛力,以確保大批量應用的廣泛商業化。”

成功的結果

在談到今天的宣布,斯特凡Pargfrieder EVG的業務發展經理指出,“CEA / Leti的世界領先的加速新興技術,廣泛的市場採用。我們都高興能夠與這樣一個著名的機構,並相信他們的專業知識將是至關重要的此JDP和推動 TSV和3D技術,在市場上,我們看到越來越多的高容量,探索實施這項技術在他們的生產線的廠家,這與 CEA / Leti的共同努力將繼續這一積極的勢頭。“

這種合作也加強了布魯爾科學,EVG和Leti之間現有的和建立的聯合開發活動。最終,它充分體現了材料,設備和工藝技術之間的協同作用,並進一步使產品附加值和技術訣竅在3D IC / TSV技術的不斷發展的領域,以及其他潛在用戶的臨時粘接和剝離技術。

CEA / Leti和EV集團已開始對項目的工作,並在使用他們的TSV的技術和工藝 3D應用程序的成功的結果。

Last Update: 3. October 2011 02:25

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