La Colaboración en el Complejo de Albany NanoTech de CNSE Apuntará Defectos de la Máscara en 22 nanómetro y Abajo

Published on February 18, 2010 at 8:53 AM

SEMATECH ha puesto en marcha un consorcio global en la Universidad de la Ciencia de Nanoscale y del Complejo de Albany NanoTech de la Ingeniería (CNSE) para desarrollar las herramientas críticas de la metrología para detectar defectos en las máscaras avanzadas necesarias para la litografía ultravioleta extrema (EUVL) - llenando una necesidad de la industria consideraba demasiado costoso para que las compañías individuales se conviertan independientemente.

La nueva Sociedad de la Infraestructura de la Máscara (EMI) de EUVL ha extraído gran interés a partir de seis entidades de la industria del semiconductor. Están buscando a las piezas Adicionales para el consorcio, que perseguirá un programa ambicioso de la metrología para activar las máscaras sin defectos de EUVL para la fabricación en grandes cantidades en 2013.

“El defectivity de la máscara de EUV es el único reto más grande a la disposición de EUV, pero encontrar los defectos requiere las herramientas de la metrología que todavía no existen,” dijo a Juan Warlaumont, el vicepresidente de SEMATECH de la Tecnología Avanzada. “Estas herramientas no estarán disponibles a tiempo sin la intervención, y la industria está de acuerdo que SEMATECH es el lugar a venir junto y socio para las soluciones.”

La Sociedad de la EMI está abierta a la máscara y los fabricantes de chips, los surtidores enes blanco de la máscara, otros consorcios, y los gobiernos regionales. Será administrada por el Programa de la Litografía de SEMATECH, basado en el UAlbany NanoCollege.

“El revelado de las soluciones avanzadas de la metrología es crítico a acelerar el uso de la litografía de EUV para la fabricación de los dispositivos del nanoelectronics,” dijo a Richard Brilla, Vicepresidente de CNSE para la Estrategia, las Alianzas y los Consorcios. “De nuevo, la sociedad entre SEMATECH y el UAlbany NanoCollege leveraging la infraestructura de CNSE y está impulsando la investigación innovadora que utilizará las necesidades de nuestros socios de la corporación y de la industria del nanoelectronics.”

La litografía Óptica es poco probable poder modelar virutas más allá de la generación de la tecnología de 22 nanómetro, y EUVL, con una longitud de onda de solamente 13,5 nanómetro, extensamente se considera el mejor repuesto para la litografía óptica. Las máscaras de EUV usadas para modelar de sub-22 nanómetro deben estar virtualmente libres de defectos de evitar transferirlos sobre los circuitos de viruta - pero las herramientas actuales de la metrología son generalmente ineficaces en encontrar defectos debajo de 32 nanómetro.

La Sociedad de la EMI dirigirá esta separación de la metrología en fases financiando el revelado de tres herramientas de la metrología. Los Primeros esfuerzos se centrarán en la activação de una capacidad aumentada del examen del espacio en blanco de la máscara de EUV en 2011, seguido por el revelado de un sistema antena de la metrología de la proyección de imagen (AIMS™) para EUV en 2013, y finalmente una herramienta del examen del modelo de máscara de EUV capaz de trabajar en 16 nanómetro en 2015. Produciendo los prototipos de estas herramientas se prevee costar $200 millones estimado o más.

Desde 2003, la industria del semiconductor ha alineado máscaras sin defectos de EUV entre sus tres ediciones técnicas superiores, y SEMATECH ha llevado programas técnicos para impulsar la reducción del defecto. A petición de la industria, SEMATECH comenzó a perseguir una solución consortial para la infraestructura requerida de la metrología con un curso especial en SEMICON Del Oeste en julio de 2009, continuando con los grupos de trabajo desarrollar ofertas y esfuerzos de firmar hacia arriba a piezas iniciales. Yendo hacia adelante, SEMATECH facilitará el logro de un consenso entre los socios de la EMI, proporcionando a datos cruciales y a un foro de discusión para los acuerdos concluyentes que alcanzan.

Last Update: 13. January 2012 03:52

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