SEMATECH联盟专家概述晶圆键合的新发展,铜的去除和晶圆减薄

Published on April 21, 2010 at 7:46 PM

随着重点是提供成本,有效和可靠的解决方案加快制造的3D技术的选项准备速度,从专家SEMATECH联盟的3D互连学院纳米科学和工程公司(CNSE)奥尔巴尼纳米技术复杂的项目概述晶圆键合的新发展,铜去除,晶圆在2010年材料研究学会(MRS)年4月5-9春季会议在旧金山,加州变薄。

3D集成提供承诺更高的性能,更高密度,更高的功能,更小的外形尺寸,和潜在的降低成本。在这一新兴领域的,新的和改进的技术和一体化计划将要实现3D作为一个制造性和可负担得起的路径,以维持半导体生产率增长的潜力。在刘健,SEMATECH联盟的研究人员描述了在各种3D几个实际的3D集成成果适用的过程中,如TSV的高宽比例,晶圆键合,和互连测试结构变薄。

“我们的目标是通过合作研究,开发和实施三维特征的新方法,说:”Sitaram Arkalgud,SEMATECH的三维互连计划主任。 “这些切实可行的办法是整合,发展过程中,计量,和工具集,这将使3D TSV的商业上可行的关键。”

“SEMATECH联盟 - CNSE合作伙伴关系,继续推动先进的技术,将加速3D制造过程,说:”理查德Brilla,CNSE副总裁战略,联盟和财团。 “这种创新的研究,将使关键的进步,有利于我们的企业合作伙伴和全球纳米电子行业。”

在伙伴关系的UAlbany NanoCollege,SEMATECH联盟的具体过程,旨在提高3D性能的进步包括:

  • 铜化学机械抛光(CMP)清除表土,使用去除率高浆筛选,取得了良好的平坦化的结果,与波兰缺陷低适合新兴的3D TSV的铜应用的速度,一个切实可行的办法。
  • 发展的过程和相关的计量必要在保税300毫米TSV和保税非TSV晶圆减薄,留下了无缺陷的表面,满足后续加工的要求。
  • 一个用于描述一个制造的晶圆债券工艺提供一个void枝蔓,债券和处理晶圆的计量技术数组。

SEMATECH的3D程序是建立在CNSE的奥尔巴尼纳米技术复杂,提供高容量的穿透硅通孔(TSV)制造强大的300毫米设备和工艺技术解决方案。要加快进度,该计划的工程师已合作与芯片制造商,设备和材料供应商,装配和包装服务公司,来自世界各地的早期发展的挑战,包括成本建模,技术选择缩小,技术的发展和标杆。

Last Update: 6. October 2011 13:37

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