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A Impressão de Toppan Desenvolve o Processo Novo do Photomask para os Dispositivos 22nm e 20nm

Published on September 10, 2010 at 7:37 AM

Toppan que Imprime Co., Ltd. anunciou hoje que desenvolveu um processo de manufactura do photomask em sua facilidade em Asaka, Japão, para apoiar a produção do dispositivo de semicondutor 22nm e 20nm.

Este processo foi desenvolvido com projecto de desenvolvimento conjunto em curso de Toppan com IBM. Toppan está pronto para apoiar prototipificação assim como produção do photomask 22nm e 20nm para clientes da fabricação do semicondutor da vanguarda.

Os Semicondutores têm cada vez mais sofisticado tornado devido ao aumento da procura para dispositivos da telecomunicação e produtos eletrônicos do consumidor digital altamente complexo e multifuncional. Tais semicondutores avançados são esperados ter o melhor desempenho, o consumo de uma mais baixa potência, e o mais barato. Os Photomasks jogam um papel crítico em produzir os semicondutores que cumprem aquelas exigências. O processo novo do photomask de Toppan ajudará a acelerar a produção de semicondutores para tecnologias da próxima geração.

Embora os photomasks se tornassem mais complexos, o Projecto de Desenvolvimento Conjunto do Photomask IBM-Toppan colaborou com as equipes da bolacha-tecnologia do IBM em Fishkill Do Leste e em Albany, N.Y., para aumentar a tecnologia do photomask ao igualmente conseguir economias significativas do revelação-custo. A solução a mais atrasada da tecnologia do photomask acomoda exigências da bolacha para que as soluções dobro avançadas da máscara optimization1 da modelação (SMO) e da fonte estendam as capacidades da litografia óptica da imersão do fluoreto do argônio do comprimento de onda 193nm (ArF). Apesar da atenção centrada sobre EUV e outras tecnologias da litografia da próxima geração, destes desafios significativos actuais das alternativas à entrega de soluções fabricação-prontas para o 22nm e de nós 20nm.

Para apoiar o ecossistema global do semicondutor, as tecnologias do photomask devem permanecer antes de programações da bolacha e fornecer a melhor capacidade. Um método de realizar isto é aumentar o desempenho da bolacha com a revelação do material novo da máscara e de integração associada do processo do photomask. Um MoSi opaco novo, mais fino no material (OMOG) de vidro para o desempenho melhorado do photomask e da bolacha foi desenvolvido. As vantagens do photomask realizadas são nivelamento melhorado, mudança menos processo-induzida da colocação do teste padrão, durabilidade de limpeza aumentada, melhor definição, e uniformidade superior da imagem.

As melhorias permitidas por OMOG fino para a impressão da bolacha são ainda mais revolucionárias. A topografia reduzida associada com o OMOG fino permite o campo eletromagnético menor bias2, o manufacturability melhorado da bolacha e limitações reduzidas do teste padrão de máscara. Flexibilidade óptica da correcção da proximidade do aumento Relaxado das limitações do teste padrão de máscara nas características chaves tais como assistências da secundário-definição e diferenças do canto-à-canto. O desempenho total Superior da litografia pode ser obtido com uma combinação de melhorias da máscara e de benefícios da impressão da bolacha.

Os Detalhes desta tecnologia nova do photomask serão apresentados na conferência da Tecnologia do Photomask de 2010 SPIE, Sept. 13-16 em Monterey, Califórnia.

“Este anúncio marca um marco miliário significativo no bem sucedido, colaboração do desenvolvimento conjunto de multi-ano entre Toppan e IBM,” disse Gary Patton, Vice-presidente da Pesquisa do Semicondutor do IBM & do Centro de Revelação. Os “Photomasks são críticos a permitir a tecnologia para a fabricação do semicondutor, e junto nossas duas empresas entregaram uma tecnologia de fabricação avançada da máscara que pudesse ajudar a apressar a revelação, a produção de volume e o tempo-à-mercado de 22nm e de dispositivos menores.”

“O trabalho colaborador entre Toppan e IBM conseguiu uma outra inovação da tecnologia do photomask hoje,” disse Toshiro Masuda, Vice-Director da Divisão da Eletrônica e Director Administrativo da Impressão de Toppan. “Toppan continuará a apoiar nossos clientes da fabricação do semicondutor leveraging este processo recentemente desenvolvido do photomask para contribuir à evolução da indústria do semicondutor.”

Source: http://www.toppan.co.jp/

Last Update: 12. January 2012 03:24

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