Instrumentos de Oxford Que Trabajan De Cerca con Llevar el Fabricante del LED A Fabricar la Capa Semipolar de GaN para los Dispositivos Optoelectrónicos

En la última década, los materiales del III-nitruro del Grupo han sido ampliamente utilizados para los diodos electroluminosos visibles y ultravioletas y los diodos láser azules, violetas. La mayor parte de estos dispositivos optoelectrónicos se fabrican típicamente en (los 0001) los materiales orientados c-aviones polar convencional del substrato. Los Dispositivos crecidos en la orientación polar del substrato sufren la polarización espontánea y piezoeléctrica indeseable dando por resultado la banda importante que dobla en el quantum bien. Esto reduce eficiencia radiativa de la recombinación y baja funcionamiento del dispositivo.

Ahora las personas técnicas en los Instrumentos-TDI de Oxford, llevados por el Dr. Alexander Usikov, han hecho progreso importante en resolver este problema, y están trabajando de cerca con un fabricante de cabeza del LED para fabricar esta capa semipolar de GaN para los dispositivos optoelectrónicos. Esto aumentaría eficiencia de la recombinación y funcionamiento radiativos del dispositivo.

Para disminuir estos efectos de polarización, el incremento de dispositivos GaN-relacionados a lo largo de direcciones semipolares y no polares se ha estudiado intenso. Usando epitaxia de la fase de vapor del hidruro (HVPE), las personas han crecido (11,2) GaN orientados de alta calidad, semipolar en (10,0) zafiros del m-avión con una capa intermedia entre el substrato del zafiro y la capa de GaN.

(Las 11,2) capas semipolares de GaN fueron crecidas en la gama de temperaturas a partir del 930 a 1050°C en un argón inerte ambiente en la presión atmosférica. El Galio y el aluminio fueron utilizados como materiales de origen y el cloruro de hidrógeno y (HCl) el amoníaco metálicos (NH3) como los gases del active para el proceso de HVPE. El incremento epitaxial de GaN fue realizado en la hora aproximadamente 60µm/usando una capa intermedia depositada en el zafiro del m-avión seguido por una capa sin impurificar de GaN. El procedimiento del incremento da lugar a la capa de alta calidad, semipolar de GaN con espesor hasta el µm 30.

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