Eulitha nanoimprint Mallit

Eulitha n nanoimprint malleja valmistetaan elektronisuihku tai sen ainutlaatuinen EUV litografia tekniikkaa. Oletusarvoisine sisältyy 35 nm puoli-pitch lineaarinen säleiköt ja 53 nm puoli-pitch piste paneelit, jotka molemmat ovat poikkeuksellisen laadun ansiosta EUV altistuminen valmiudet. Asiakaskohtaiset malleja valmistetaan asiakkaan toiveiden mukaisesti ja sopivimman tekniikan valinta: EUV-tekniikka mahdollistaa tuotannon korkean resoluution määräajoin rakenteet (ala-100 nm) laajoilla alueilla taas e-beam käytetään tehdä mielivaltaisia ​​kuvioita.

Sovellukset Eulitha n malleja ovat prosessien kehittäminen ja todentaminen, nano-optiikka, SERS substraattien, kuviollinen magneettiset, mikroskooppi kalibrointi, nanoelektroniikka ja malleihin koottavia. Ota yhteyttä ja kerro tarvitsee asiantuntija-apua meidän maailmankuulun tieteellisen henkilöstön.

Tärkeimmät ominaisuudet:

  • Resoluutio alas 20 nm
  • Anti-tartunta pinnoite (valinnainen)
  • Nopea vasteaika on 4-6 viikkoa
  • Area / resoluutio yhdistelmät (esim. 35 nm yli 1cm 2)

Last Update: 6. October 2011 04:02

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask the manufacturer of this equipment or can you provide feedback regarding your use of this equipment?

Leave your feedback
Submit
Other Equipment